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消息面上,，1月15日晚間，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）修訂了《出口管理?xiàng)l例》（EAR）,，修改DRAM先進(jìn)存儲(chǔ)定義，工藝節(jié)點(diǎn)仍為18nm,，存儲(chǔ)單元面積及存儲(chǔ)密度由2024年12月的1ynm變?yōu)?xnm，同時(shí)增加TSV通孔數(shù)限制,，對(duì)HBM和先進(jìn)DRAM的限制再加碼,，倒逼產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化加速,。

中信證券表示,，本次限制針對(duì)制造廠商及供應(yīng)鏈,，設(shè)計(jì)廠商業(yè)務(wù)正常開(kāi)展,，看好高端定制存儲(chǔ)業(yè)務(wù),，持續(xù)推薦,。同時(shí),，后續(xù)在本土高端封測(cè)廠商和設(shè)備廠商的配合下,，國(guó)內(nèi)DRAM原廠有望突破HBM,，布局相關(guān)環(huán)節(jié)的廠商有望核心受益,，看好高端存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)替代,。

信達(dá)證券指出，制裁升級(jí)或?qū)⒓铀賴?guó)產(chǎn)替代節(jié)奏,，產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)在自主可控大趨勢(shì)下仍具備較大成長(zhǎng)空間，建議關(guān)注代工：中芯國(guó)際,、華虹公司等,；AI芯片：寒武紀(jì)、海光信息等,；HBM：通富微電、賽騰股份,、華海誠(chéng)科等；設(shè)備：北方華創(chuàng),、中微公司,、拓荊科技,、精測(cè)電子等；零部件：茂萊光學(xué),、福晶科技,、富創(chuàng)精密等；材料：鼎龍股份,、安集科技,、興森科技等,；EDA/IP：華大九天,、概倫電子,、芯原股份等,。

校對(duì)：王蔚