7月11日晚間,,銀河微電(688689)發(fā)布公告,,公司擬以自有資金3.1億元投資實施“高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地一期廠房建設項目”,,旨在提升公司集成電路分立器件產(chǎn)品的生產(chǎn)加工能力,,擴大生產(chǎn)規(guī)模。
公告顯示,,本次投資資金來源為公司自有資金或自籌資金,,建設周期30個月,計劃通過購置土地及開展廠房土建工程,,為后續(xù)高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地建設奠定基礎,。
作為國內(nèi)領先的半導體分立器件制造商,銀河微電主要產(chǎn)品包括小信號器件,、功率器件,、光電器件、電源管理IC及第三代半導體(SiC,、GaN)器件,,產(chǎn)品廣泛應用于汽車電子、消費電子,、工業(yè)控制,、新能源及5G通信等領域。
近年來,,受益于下游需求的強勁驅動,,我國半導體分立器件行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)擴大,,業(yè)內(nèi)企業(yè)相繼收獲紅利。2022年至2024年,,銀河微電營業(yè)收入分別為6.76億元、6.95億元,、9.09億元,,呈逐年上升態(tài)勢。公司表示,,受生產(chǎn)場地,、設備及人力資源的限制,當前產(chǎn)能已難以滿足日益增長的市場需求,,本次推進相關半導體分立器件產(chǎn)能規(guī)模擴張,,可促進業(yè)務發(fā)展,進一步提升盈利水平,。
目前,,硅材料平臺仍然是主流的半導體分立器件工藝平臺,并將在未來相當一段時間內(nèi)占據(jù)主要市場,,但新的半導體材料,,如SiC、GaN工藝平臺正在逐步走向成熟,,并在新能源汽車,、光伏逆變器等場景的應用占比顯著提升。
2024年,,公司適時優(yōu)化產(chǎn)品結構,,重點提升MOS產(chǎn)品、TVS及穩(wěn)壓管產(chǎn)品的銷售占比,,推動產(chǎn)銷量穩(wěn)步增長,,特別是在車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目方面,客戶拓展取得顯著突破,。與此同時,,進一步推進光電器件及IGBT器件擴產(chǎn),加大對新增設備投入,。
為搶抓市場機遇,,銀河微電持續(xù)加快高端產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進度。目前,,公司初步具備SiC MOSFET及GaN HEMT芯片設計能力,,并且實現(xiàn)了小批量應用。
值得一提的是,,在新產(chǎn)業(yè)布局方面,,銀河微電“車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化”項目進入產(chǎn)能爬坡階段,,產(chǎn)品涵蓋IGBT、SiC MOSFET等,,獲得多家車企供應鏈認證,,聚焦新能源汽車的電機控制、車載充電系統(tǒng)及ADAS領域,,滿足AEC-Q101等國際車規(guī)標準,,逐步替代英飛凌、安森美等海外廠商的中高端市場份額,。 同時,,光電耦合器及 LED產(chǎn)品已應用于工業(yè)自動化、醫(yī)療設備等領域,, 并與多家客戶合作,,開發(fā)高精度傳感器及電源管理模塊。
對于2025年經(jīng)營計劃,,銀河微電表示將圍繞大客戶,、大產(chǎn)品、大業(yè)務展開,,進一步豐富功率器件產(chǎn)品種類,,提升公司優(yōu)勢產(chǎn)品的產(chǎn)能,提高產(chǎn)品檔次,,同時通過精準營銷策略,,培植新的增長點,提升大產(chǎn)品的市場競爭力,。